| 型号： | FQB8N60CTM | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Fairchild Semiconductor | 描述： | MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| FQB8N60CTM PDF |  |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告 | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 标准包装 | 800 |
| 系列 | QFET™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.2 欧姆 @ 3.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1255pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3.13W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | TO-263（D2Pak） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FQB8N60CTM-ND FQB8N60CTMFSTR |